半導體高低溫測試實驗箱與半導體高低溫沖擊試驗箱均是常用于半導體行業(yè)及半導體產品、材料、配件做在瞬間下經*溫及低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度,藉以在短時間內試驗其熱脹冷縮所引起的化學變化及物理傷害。

溫度循環(huán)沖擊試驗機性能參數參考如下：（可非標定制） 高溫室儲溫的升溫時間：30min （+25℃～+200℃）。 低溫室儲溫的降溫時間：65min （+25℃～-75℃）。

led高低溫溫度沖擊機技術性能: 溫度分布均勻度:±2℃ 溫度波動度:±0.5℃ 溫度恢復時間:3～5min 高溫區(qū)預熱溫度升溫時間:150℃/30min,150℃/40min,150℃/40min,150℃/40min

全自動高低溫沖擊試驗箱滿足的試驗方法有：SJ/T10187-91Y73系列溫度變化試驗箱——一箱式；SJ/T10186-91Y73系列溫度變化試驗箱——二箱式；GB/T2423.22-1989溫度變化試驗；GB/T2423.1-1989低溫試驗方法；GB/T2423.2-1989高溫試驗方法；GJB360.7-87溫度沖擊試驗；GJB150.5-86溫度沖擊試驗；IEC68-2-14_試驗方法N_

低溫金屬沖擊試驗機型號及技術參數如下：（分別是寬×高×深） （mm） 保溫材質：耐高溫高密度氯基乙醋泡沫絕緣體材料 控制器：愛佩采用“TEMI”或“OYO”牌

沖擊試驗低溫儀器機械結構: 1.測試樣品置于盤架，藉由氣壓缸直線驅動蓄熱區(qū)或蓄冷區(qū)之閥門，以動作需要打開DAMPER，引導冷熱氣流導入測試箱內 ，而達到快速冷熱沖擊之效果，平衡調溫控制 系統（TBHC）+特殊設計送風循環(huán)系統 ，以P.I.D.方式控制S.S.R. , 使系統之加熱量等于熱損耗量 , 故能長期穩(wěn)定的使用。